номер части | BSB013NE2LXIXUMA1 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 25V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 36A (Ta), 163A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4400pF @ 12V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Упаковка / чехол | 3-WDSON |