Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BGB 540 E6327

номер части: BGB 540 E6327
производитель: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BGB 540 E6327.pdf BGB 540 E6327 PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - RF

номер части	BGB 540 E6327
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	3.5V
Частота - переход	-
Шум (дБ Тип @ f)	1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Усиление	16dB ~ 17.5dB
Мощность - макс.	120mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	-
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	30mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SC-82A, SOT-343
Пакет устройств поставщика	PG-SOT343-4

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	BGB 540 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343		0	подробности