Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Global Power Technologies Group ~ GSID600A120S4B1

номер части: GSID600A120S4B1
производитель: Global Power Technologies Group
Описание: SILICON IGBT MODULES
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: GSID600A120S4B1.pdf GSID600A120S4B1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - IGBT - Модули

номер части	GSID600A120S4B1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	1130A
Мощность - макс.	3060W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 600A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	51nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	GSID600A120S4B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES		0	подробности