FQD20N06LETM

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
FQD20N06LETM P1
FQD20N06LETM P2
FQD20N06LETM P1
FQD20N06LETM P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQD20N06LETM

номер части
FQD20N06LETM
производитель
Fairchild/ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FQD20N06LETM PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FQD20N06LETM
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 17.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 665pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 8.6A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D-Pak
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты