Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQB8P10TM

номер части	FQB8P10TM
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	470pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.75W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	530 mOhm @ 4A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263AB)
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
FQB10N20CTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK		0	подробности
FQB10N20LTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK		0	подробности
FQB10N20TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK	-	0	подробности
FQB10N50CFTM-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 10A DPAK	-	36841	подробности
FQB10N50CFTM_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 10A DPAK	-	0	подробности
FQB10N60CTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK		0	подробности
FQB11N40CTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK	-	800	подробности
FQB11N40TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK		0	подробности
FQB11P06TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK	-	800	подробности
FQB12N50TM_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK		0	подробности
FQB12N60CTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK		0	подробности
FQB12N60TM_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK		0	подробности