FQB7N10LTM

MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
FQB7N10LTM P1
FQB7N10LTM P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQB7N10LTM

номер части
FQB7N10LTM
производитель
Fairchild/ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
FQB7N10LTM.pdf FQB7N10LTM PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FQB7N10LTM
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 290pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 3.65A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

сопутствующие товары

Все продукты