FDV302P_NB8V001

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
FDV302P_NB8V001 P1
FDV302P_NB8V001 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDV302P_NB8V001

номер части
FDV302P_NB8V001
производитель
Fairchild/ON Semiconductor
Описание
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
FDV302P_NB8V001.pdf FDV302P_NB8V001 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FDV302P_NB8V001
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 11pF @ 10V
Vgs (Макс.) -8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 350mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты