ZXMN2F34MATA

MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
ZXMN2F34MATA P1
ZXMN2F34MATA P2
ZXMN2F34MATA P3
ZXMN2F34MATA P1
ZXMN2F34MATA P2
ZXMN2F34MATA P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ ZXMN2F34MATA

номер части
ZXMN2F34MATA
производитель
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
ZXMN2F34MATA.pdf ZXMN2F34MATA PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части ZXMN2F34MATA
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 277pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.35W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 3-DFN (2x2)
Упаковка / чехол 3-VDFN Exposed Pad

сопутствующие товары

Все продукты