DMN3112S-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
DMN3112S-7 P1
DMN3112S-7 P2
DMN3112S-7 P3
DMN3112S-7 P4
DMN3112S-7 P5
DMN3112S-7 P1
DMN3112S-7 P2
DMN3112S-7 P3
DMN3112S-7 P4
DMN3112S-7 P5
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DMN3112S-7

номер части
DMN3112S-7
производитель
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- DMN3112S-7 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DMN3112S-7
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 268pF @ 5V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.4W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 5.8A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23-3
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты