DMG4N60SJ3

MOSFET NCH 600V 3A TO251
DMG4N60SJ3 P1
DMG4N60SJ3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DMG4N60SJ3

номер части
DMG4N60SJ3
производитель
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET NCH 600V 3A TO251
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- DMG4N60SJ3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DMG4N60SJ3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 532pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 41W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-251
Упаковка / чехол TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

сопутствующие товары

Все продукты