| номер части | BAV21HWFQ-7 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 250V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 200mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 200mA |
| скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Время обратного восстановления (trr) | 50ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100nA @ 200V |
| Емкость @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOD-123F |
| Пакет устройств поставщика | SOD-123F |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAV20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 | 0 | подробности | |
|
BAV20 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 | - | 2345447 | подробности |
 |
BAV20,113 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | 0 | подробности | |
 |
BAV20,133 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | 10000 | подробности | |
 |
BAV20,143 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | 0 | подробности | |
 |
BAV20-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
BAV20-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
BAV200-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
BAV200-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
BAV201-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
BAV201-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
BAV202-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
