| номер части | BAS116LPH4-7B |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 85V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 215mA (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 150mA |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 3µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5nA @ 75V |
| Емкость @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 2-XFDFN |
| Пакет устройств поставщика | X2-DFN1006-2 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | - | 1546376 | подробности |
 |
BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 9000 | подробности | |
 |
BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 90000 | подробности | |
 |
BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 42000 | подробности |
 |
BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
|
BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 10000 | подробности |
|
BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 3000 | подробности |
 |
BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F | 33000 | подробности | |
|
BAS116HMFHT116 | Rohm Semiconductor | HIGH RELIABILITY AUTOMOTIVE SWIT | - | 1590825 | подробности |
|
BAS116L2-TP | Micro Commercial Co | 215MA85VSWITCHINGDFN1006-2C P | - | 1206230 | подробности |
