| номер части | 1N5819M-13 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип диода | Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 40V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 600mV @ 1A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1mA @ 40V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Пакет устройств поставщика | MELF |
| Рабочая температура - Соединение | -60°C ~ 125°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | - | 262 | подробности |
 |
1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | - | 181 | подробности |
 |
1N5803 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL | - | 0 | подробности |
 |
1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | - | 478 | подробности |
 |
1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | - | 104 | подробности |
 |
1N5805 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL | - | 0 | подробности |
 |
1N5806 | Semtech Corporation | D MET 2.5A SFST 150V | - | 0 | подробности |
|
1N5806/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | подробности |
|
1N5806C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | подробности |
|
1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | подробности |
 |
1N5806TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | подробности |
|
1N5806US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | - | 229 | подробности |
