| номер части | S34SL02G200BHV000 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 2Gb (256M x 8) |
| Частота часов | - |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | 25ns |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
S34SL01G200BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL01G200BHI003 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL01G200BHV000 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL01G200BHV003 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL02G200BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL02G200BHI003 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL02G200BHV000 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL02G200BHV003 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL04G200BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL04G200BHI003 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL04G200BHV000 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
|
S34SL04G200BHV003 | Cypress Semiconductor Corp | NAND | - | 0 | подробности |
