IS29GL512S-11DHV010

NOR
IS29GL512S-11DHV010 P1
IS29GL512S-11DHV010 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Cypress Semiconductor Corp ~ IS29GL512S-11DHV010

номер части
IS29GL512S-11DHV010
производитель
Cypress Semiconductor Corp
Описание
NOR
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IS29GL512S-11DHV010 PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IS29GL512S-11DHV010
Статус детали Obsolete
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти FLASH
Технологии FLASH - NOR
Размер памяти 512Mb (64M x 8)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 60ns
Время доступа 110ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты