CY62147GE18-55BVXIT

MICROPOWER SRAMS
CY62147GE18-55BVXIT P1
CY62147GE18-55BVXIT P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Cypress Semiconductor Corp ~ CY62147GE18-55BVXIT

номер части
CY62147GE18-55BVXIT
производитель
Cypress Semiconductor Corp
Описание
MICROPOWER SRAMS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- CY62147GE18-55BVXIT PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части CY62147GE18-55BVXIT
Статус детали Active
Тип памяти Volatile
Формат памяти SRAM
Технологии SRAM - Asynchronous
Размер памяти 4Mb (256K x 16)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 55ns
Время доступа 55ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.65 V ~ 2.2 V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты