номер части | C3M0065090D |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 900V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 36A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 30.4nC @ 15V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 660pF @ 600V |
Vgs (Макс.) | +18V, -8V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
Упаковка / чехол | TO-247-3 |