| номер части | 1N960B BK |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Напряжение - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
| Толерантность | ±5% |
| Мощность - макс. | 500mW |
| Импеданс (макс.) (Zzt) | 7.5 Ohm |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 25µA @ 6.9V |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.5V @ 200mA |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Пакет устройств поставщика | DO-35 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N914 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | - | 599 | подробности |
 |
1N914-T50A | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 5726971 | подробности |
 |
1N914-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N914A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N914ATR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 20000 | подробности |
 |
1N914A_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N914B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 13981 | подробности |
|
1N914B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 4786349 | подробности |
 |
1N914B,113 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | 0 | подробности | |
 |
1N914B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N914BTR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 80000 | подробности |
 |
1N914BTR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 10847 | подробности |
