Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

CEL ~ NE3516S02-T1C-A

номер части: NE3516S02-T1C-A
производитель: CEL
Описание: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: NE3516S02-T1C-A.pdf NE3516S02-T1C-A PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	NE3516S02-T1C-A
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	N-Channel GaAs HJ-FET
частота	12GHz
Усиление	14dB
Напряжение - испытание	2V
Текущий рейтинг	60mA
Коэффициент шума	0.35dB
Текущий - Тест	10mA
Выходная мощность	165mW
Напряжение - Номинальное напряжение	4V
Упаковка / чехол	4-SMD, Flat Leads
Пакет устройств поставщика	S02

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
NE3510M04-A	CEL	FET RF 4V 4GHZ M04		подробности
NE3510M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 4GHZ M04		подробности
NE3511S02-A	CEL	HJ-FET NCH 13.5DB S02		подробности
NE3511S02-T1C-A	CEL	IC AMP RF LNA 13.5DB S02	-	подробности
NE3512S02-A	CEL	HJ-FET NCH 13.5DB S02		подробности
NE3512S02-T1C-A	CEL	HJ-FET NCH 13.5DB S02		подробности
NE3513M04-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD		подробности
NE3513M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD		подробности
NE3513M04-T2B-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD		подробности
NE3514S02-A	CEL	HJ-FET NCH 10DB S02		подробности
NE3514S02-T1C-A	CEL	HJ-FET NCH 10DB S02		подробности
NE3515S02-A	CEL	FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02		подробности