Память Samsung имеет тенденцию монополизировать, с долей 43% во втором квартале, массовое производство 8-слойной памяти DDR5 в 2022 году.
Samsung Electronics заявила на конференции по производству микросхем в понедельник, что Samsung Electronics начнет массовое производство 8-слойной памяти DDR5 к концу следующего года.
Он будет использовать технологию TSV для модулей памяти DDR5 объемом 512 ГБ. Samsung ранее использовала 4-слойную технологию TSV для DDR4, в результате чего толщина чипа составляет всего 1,2 мм, а новый 8-слойный модуль DDR5 будет тоньше 1 мм.
1
В последние годы Samsung использует технологию обработки более тонких пластин, чтобы уменьшить расстояние между микросхемами.
Samsung заявила, что по сравнению с DDR4, новая DDR5 будет иметь лучшую функцию рассеивания тепла благодаря применению материалов с высоким содержанием K. В то же время он применяет собственную ИС управления питанием для снижения шума и имеет более низкое напряжение.
DDR5 будет иметь скорость передачи данных 7,2 Гбит / с, и Samsung применила технологию, называемую эквалайзером с обратной связью, для увеличения скорости передачи данных и поддержания стабильного сигнала.
Samsung заявила, что новые модули памяти будут нацелены на рынки центров обработки данных и серверов.
Samsung планирует инвестировать 240 триллионов вон (примерно 205 миллиардов долларов США) в полупроводниковую промышленность в следующие три года, из которых память станет одним из ключевых проектов, включая DRAM, ориентированный на 14-нм и более продвинутые процессы, а также разработку флэш-памяти NAND. память с более чем 200 слоями и усовершенствование производственной линии памяти.
2
Точка зрения специалиста по технологиям LSCSH: рынок памяти Samsung в настоящее время можно охарактеризовать как монополию, который занял 43,6% доли (по данным на второй квартал 2021 года) с доходом за один квартал более 10 миллиардов долларов США. Это может быть одной из основных причин, по которой Samsung хочет еще больше увеличить свои инвестиции в память!