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부품 번호 | SI7611DN-T1-GE3 |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | P-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 40V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 62nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1980pF @ 20V |
Vgs (최대) | ±20V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 9.3A, 10V |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8 |