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부품 번호 | SI1922EDH-T1-GE3 |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.3A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 198 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5nC @ 8V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
전력 - 최대 | 1.25W |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
공급 업체 장치 패키지 | SC-70-6 (SOT-363) |