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| 부품 번호 | SSM6N357R,LF |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 650mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60pF @ 12V |
| 전력 - 최대 | 1.5W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급 업체 장치 패키지 | 6-TSOP-F |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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SSM6322ACPZ-R2 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 250 | 세부 | |
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SSM6322ACPZ-R7 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 9000 | 세부 | |
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SSM6322ACPZ-RL | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 35000 | 세부 | |
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SSM6H19NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN | - | 0 | 세부 |
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SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 4000 | 세부 | |
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SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | - | 0 | 세부 |
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SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | - | 0 | 세부 |
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SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | - | 4000 | 세부 |
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SSM6J214FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH | - | 623675 | 세부 |
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SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | - | 12000 | 세부 |
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SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | - | 498940 | 세부 |
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SSM6J409TU(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6 | - | 0 | 세부 |