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부품 번호 | FJ4B01120L1 |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | P-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 12V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 2mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.7nC @ 4.5V |
Vgs (최대) | ±8V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 814pF @ 10V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 370mW (Ta) |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | ULGA004-W-1010-RA01 |
패키지 / 케이스 | 4-XFLGA, CSP |