PMN25UN,115

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
PMN25UN,115 P1
PMN25UN,115 P1
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NXP USA Inc. ~ PMN25UN,115

부품 번호
PMN25UN,115
제조사
NXP USA Inc.
기술
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 PMN25UN,115
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 470pF @ 10V
Vgs (최대) ±8V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6A, 4.5V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 6-TSOP
패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457

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