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| 부품 번호 | JAN2N6300 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 8A |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 60V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 500µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| 전력 - 최대 | 75W |
| 빈도 - 전환 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-213AA, TO-66-2 |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-66 (TO-213AA) |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | 세부 |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | 세부 |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | 세부 |