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| 부품 번호 | APT45GR65B |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| IGBT 형 | NPT |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 650V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 92A |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) | 168A |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| 전력 - 최대 | 357W |
| 스위칭 에너지 | 900µJ (on), 580µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 203nC |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 15ns/100ns |
| 시험 조건 | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| 역 회복 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | - |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-247 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | 세부 | |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | 세부 | |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | - | 0 | 세부 |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | - | 0 | 세부 |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | - | 5 | 세부 |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | - | 0 | 세부 |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | 0 | 세부 | |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | - | 2905 | 세부 |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | 0 | 세부 | |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | - | 355 | 세부 |
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APT40DQ60BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 | - | 255 | 세부 |
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APT40DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | - | 2581 | 세부 |