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| 부품 번호 | MT53B256M64D2NV MS TR |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 크기 | 16Gb (256M x 64) |
| 클럭 주파수 | - |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 전압 - 공급 | 1.1V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MT53B256M16D1Z00MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 4G DIE 256MX16 | - | 10411 | 세부 |
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MT53B256M32D1DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | - | 3381 | 세부 |
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MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | - | 3456 | 세부 |
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MT53B256M32D1DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | - | 3716 | 세부 |
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MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | - | 3799 | 세부 |
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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | - | 3143 | 세부 |
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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | - | 3182 | 세부 |
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | - | 12747 | 세부 |
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | - | 12497 | 세부 |
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MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | LPDDR4 256MX64 WFB | - | 0 | 세부 |
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MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA | - | 0 | 세부 |
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MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G 256MX32 FBGA | - | 10629 | 세부 |