이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.
부품 번호 | IPI120P04P4L03AKSA1 |
---|---|
부품 상태 | Active |
FET 유형 | P-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 40V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 340µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 234nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 15000pF @ 25V |
Vgs (최대) | ±16V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 136W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
공급 업체 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 |
패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |