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BOM

2N3646

TRANSISTOR NPN TO-106
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 › 2N3646
2N3646 P1
2N3646 P1
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Central Semiconductor Corp ~ 2N3646

부품 번호
2N3646
제조사
Central Semiconductor Corp
기술
TRANSISTOR NPN TO-106
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- 2N3646 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 2N3646
부품 상태 Last Time Buy
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 200mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 15V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 500mV @ 30mA, 300mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 30mA, 400mV
전력 - 최대 200mW
빈도 - 전환 350MHz
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-106-3 Domed
공급 업체 장치 패키지 TO-106

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