VS-40MT120UHAPBF

IGBT 1200V 80A 463W MTP
VS-40MT120UHAPBF P1
VS-40MT120UHAPBF P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-40MT120UHAPBF

品番
VS-40MT120UHAPBF
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明
IGBT 1200V 80A 463W MTP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- VS-40MT120UHAPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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品番 VS-40MT120UHAPBF
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 80A
電力 - 最大 463W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 4.91V @ 15V, 80A
電流 - コレクタ遮断(最大) 250µA
入力容量(Cies)@ Vce 8.28nF @ 30V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース 12-MTP Module
サプライヤデバイスパッケージ MTP

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