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| 品番 | SUP50N10-21P-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 68nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2055pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 21 mOhm @ 10A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SUP50N03-5M1P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB | - | 0 | 詳細 |
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SUP50N10-21P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB | - | 400 | 詳細 |