SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET N-CH 30V 42A TO252
SUD42N03-3M9P-GE3 P1
SUD42N03-3M9P-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SUD42N03-3M9P-GE3

品番
SUD42N03-3M9P-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 SUD42N03-3M9P-GE3
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 42A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 100nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3535pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.9 mOhm @ 22A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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