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| 品番 | SUD06N10-225L-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 240pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 200 mOhm @ 3A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SUD06N10-225L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK | 0 | 詳細 | |
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SUD06N10-225L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK | - | 0 | 詳細 |