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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | SQ4532AEY-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 3.3W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SQ4532AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC | - | 173339 | 詳細 |