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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SQ4425EY-T1_GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3630pF @ 25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 6.8W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |