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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | SIZ920DT-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 35nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1260pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 39W, 100W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-PowerPair™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-PowerPair™ |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | - | 0 | 詳細 |
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SIZ926DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V POWERPAIR 6X5 | - | 0 | 詳細 |