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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SIS606BDN-T1-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 17.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1470pF @ 50V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |