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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SI8819EDB-T2-E1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.9A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 3.7V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 900mV @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 17nC @ 8V |
Vgs(最大) | ±8V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 650pF @ 6V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 900mW (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
パッケージ/ケース | 4-XFBGA |