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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SI7601DN-T1-E3 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.6V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 27nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1870pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±12V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V |
動作温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |