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| 品番 | SI7172ADP-T1-RE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 50 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| Vgs（最大） | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1110pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SI7172ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8 | - | 115730 | 詳細 |
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SI7172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8 | - | 0 | 詳細 |