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| 品番 | SI7113DN-T1-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13.2A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 55nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1480pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 134 mOhm @ 4A, 10V |
| 動作温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI7110DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 | - | 0 | 詳細 |
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SI7110DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 | - | 0 | 詳細 |
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SI7112DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 | - | 0 | 詳細 |
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SI7113DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 | - | 33000 | 詳細 |
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SI7114DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 | - | 0 | 詳細 |
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SI7115DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 | - | 0 | 詳細 |