SI5935CDC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
SI5935CDC-T1-E3 P1
SI5935CDC-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI5935CDC-T1-E3

品番
SI5935CDC-T1-E3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SI5935CDC-T1-E3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 SI5935CDC-T1-E3
部品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 455pF @ 10V
電力 - 最大 3.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™

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