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| 品番 | SI4818DY-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.3A, 7A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 22 mOhm @ 6.3A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 1W, 1.25W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SI4812BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
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SI4812BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
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SI4814BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | - | 0 | 詳細 |
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SI4814BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | - | 0 | 詳細 |
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SI4816BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | - | 2500 | 詳細 |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
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SI4816DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
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SI4816DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
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SI4818DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
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SI4818DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |