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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SI3477DV-T1-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 90nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2600pF @ 6V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 17.5 mOhm @ 9A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |