画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SI3440ADV-T1-GE3 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 150V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 380 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 80pF @ 75V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.6W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |