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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IRFD220 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 800mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 14nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 260pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 800 mOhm @ 480mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |