画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | IRF737LCSTRR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 300V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.1A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 430pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 750 mOhm @ 3.7A, 10V |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF710 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB | - | 0 | 詳細 |
 |
IRF7101PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 0 | 詳細 | |
 |
IRF7101TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 4000 | 詳細 | |
 |
IRF7102 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | 0 | 詳細 | |
 |
IRF7103PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 5991 | 詳細 | |
 |
IRF7103Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | 詳細 | |
 |
IRF7103QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | 詳細 | |
 |
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 12000 | 詳細 | |
 |
IRF7104PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | 詳細 | |
 |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | 詳細 | |
 |
IRF7105PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 1060 | 詳細 | |
 |
IRF7105QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 0 | 詳細 |