IRF730PBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
IRF730PBF P1
IRF730PBF P2
IRF730PBF P3
IRF730PBF P1
IRF730PBF P2
IRF730PBF P3
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Vishay Siliconix ~ IRF730PBF

品番
IRF730PBF
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IRF730PBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF730PBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 400V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 38nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 700pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 74W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1 Ohm @ 3.3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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