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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BAS281-GS08 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 40V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 30mA |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1V @ 15mA |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 200nA @ 200V |
| 容量Vr、F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOD-80 Variant |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOD-80 QuadroMELF |
| 動作温度 - ジャンクション | 125°C (Max) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BAS20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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BAS20 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 1755335 | 詳細 |
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BAS20,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 12000 | 詳細 | |
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BAS20,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 0 | 詳細 | |
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BAS20-7 | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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BAS20-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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BAS20-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 詳細 |
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BAS20-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 詳細 |
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BAS20-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 詳細 |
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BAS20-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 詳細 |
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BAS20-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 詳細 |
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BAS20-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 詳細 |